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パワーモジュール

産業、自动车、再生可能エネルギーアプリケーション向けのIGBT、SiC MOSFET、サイリスタ、ダイオード パワー モジュールの包括的なポートフォリオ

概要

パワーモジュールは、パワー半導体デバイス用のパッケージです。これらのデバイスは、ダイまたはチップとも呼ばれ、シリコン (Si) などのさまざまな半導体材料や炭化ケイ素 (SiC) などのワイド バンドギャップ材料で作られています。

インフィニオンは、選択肢の多さに設計者が困るほどのラインナップを取り揃えています。システム設計に応じて、IGBTまたはSiC MOSFETベースのパワーモジュールから選択でき、車載規格に準拠したものもご利用いただけます。さらに、インフィニオンはサイリスタおよびダイオードパワーモジュールを提供しており、統合ソリューションを探す際には、CIPOS?インテリジェント パワーモジュール ファミリーもご検討ください。

パワーモジュールは、20 Wの小型家电製品から、数MWの送配电や風力発電アプリケーションまで、さまざまなアプリケーションに最適となっています。

絶縁ゲートバイポーラ トランジスタ (IGBT) チップは、電気的接点および熱的接点として機能しますが、必要に応じて電気絶縁を提供する基板にはんだ付けまたは焼結されます。現在、ほとんどのパワーモジュールはIGBTベースで、インフィニオンの最新IGBTチップは第7世代のTRENCHSTOP? IGBT7です。

インフィニオンは、さまざまな滨骋叠罢パワーモジュールのパッケージ、構成、電圧、電流クラスを取り揃え、ほぼ無限とも言えるアプリケーションに対応しています。

炭化ケイ素 (SiC) MOSFET は、ワイド バンドギャップ材料に属します。SiC パワー モジュールは、シリコンよりも高い動作温度とスイッチング周波数を実現し、システム効率を全体的に向上させることができます。インフィニオンのCoolSiC? MOSFETパワーモジュール ソリューションは、再生可能エネルギーや電源などのアプリケーションに対応しています。

さらに、シリコンベースのCoolMOS? MOSFETパワーモジュールも提供しており、車載充電器や補助装置アプリケーションにおける高い価格性能比の組み合わせに最適です。

サイリスタ/ダイオードモジュールはダイオードとサイリスタを1つのパッケージにまとめたものですが、ブリッジ整流器モジュールには4つのダイオードが搭載されています。使用される半導体材料は、シリコンまたはSiC (炭化ケイ素) のショットキーダイオードのいずれかです。

さらに、インフィニオンはサイリスタ ソフトスターター モジュールを提供しています。名前からもわかるように、これらの電源モジュールは、開始シーケンスの開始時から徐々に電圧を上げるのに使用されます。

インフィニオンの車載用パワーモジュールは、ハイブリッド車や電気自动车の厳しい要件を満たすように設計されています。最先端のSi IGBTおよびCoolSiC技術に基づく当社のモジュールは、クラス最高の性能、高速スイッチング、低スイッチング損失を提供し、システム効率を最大化します。AQG 324認定を受けた当社のモジュールは、トラクションインバータの設計と製造において高い使いやすさを提供します。

HybridPACKおよびEasyPACK製品ファミリーなど、インフィニオンの車載用IGBTモジュールは、EDT3などの最先端技術を備えており、優れた効率と高い信頼性を提供します。これらのモジュールは、30 kW から 250 kW までのインバーター電力クラスに対応し、ハーフブリッジおよび B6 ブリッジ構成で利用できるため、プラグイン ハイブリッド車や電気自动车に最適です。

インフィニオンの車載用パワーモジュールを活用することで、設計者はシステム効率を向上させ、コストを削減し、電気自动车アプリケーションの市場投入までの時間を短縮できます。

インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、シリコンIGBT、MOSFET、またはシリコンカーバイドMOSFETチップとゲートドライバを1つのパッケージに組み合わせたもので構成されています。ダイとゲートドライバーICの統合により、ディスクリートソリューションに比べてシステムサイズが小さくなります。

OptiMOS?デュアル フェーズおよびクアッド フェーズ スマート パワーモジュールは、OptiMOS?パワーステージと独自のインダクタ、コンデンサ、最適化されたパッケージを1つの基板に統合します。AI データセンターを主な対象とするこれらのモジュールは、垂直給電を実現する重要な要素であり、クラス最高の効率と電力密度を提供します。

パワーモジュールは、パワー半導体デバイス用のパッケージです。これらのデバイスは、ダイまたはチップとも呼ばれ、シリコン (Si) などのさまざまな半導体材料や炭化ケイ素 (SiC) などのワイド バンドギャップ材料で作られています。

インフィニオンは、選択肢の多さに設計者が困るほどのラインナップを取り揃えています。システム設計に応じて、IGBTまたはSiC MOSFETベースのパワーモジュールから選択でき、車載規格に準拠したものもご利用いただけます。さらに、インフィニオンはサイリスタおよびダイオードパワーモジュールを提供しており、統合ソリューションを探す際には、CIPOS?インテリジェント パワーモジュール ファミリーもご検討ください。

パワーモジュールは、20 Wの小型家电製品から、数MWの送配电や風力発電アプリケーションまで、さまざまなアプリケーションに最適となっています。

絶縁ゲートバイポーラ トランジスタ (IGBT) チップは、電気的接点および熱的接点として機能しますが、必要に応じて電気絶縁を提供する基板にはんだ付けまたは焼結されます。現在、ほとんどのパワーモジュールはIGBTベースで、インフィニオンの最新IGBTチップは第7世代のTRENCHSTOP? IGBT7です。

インフィニオンは、さまざまな滨骋叠罢パワーモジュールのパッケージ、構成、電圧、電流クラスを取り揃え、ほぼ無限とも言えるアプリケーションに対応しています。

炭化ケイ素 (SiC) MOSFET は、ワイド バンドギャップ材料に属します。SiC パワー モジュールは、シリコンよりも高い動作温度とスイッチング周波数を実現し、システム効率を全体的に向上させることができます。インフィニオンのCoolSiC? MOSFETパワーモジュール ソリューションは、再生可能エネルギーや電源などのアプリケーションに対応しています。

さらに、シリコンベースのCoolMOS? MOSFETパワーモジュールも提供しており、車載充電器や補助装置アプリケーションにおける高い価格性能比の組み合わせに最適です。

サイリスタ/ダイオードモジュールはダイオードとサイリスタを1つのパッケージにまとめたものですが、ブリッジ整流器モジュールには4つのダイオードが搭載されています。使用される半導体材料は、シリコンまたはSiC (炭化ケイ素) のショットキーダイオードのいずれかです。

さらに、インフィニオンはサイリスタ ソフトスターター モジュールを提供しています。名前からもわかるように、これらの電源モジュールは、開始シーケンスの開始時から徐々に電圧を上げるのに使用されます。

インフィニオンの車載用パワーモジュールは、ハイブリッド車や電気自动车の厳しい要件を満たすように設計されています。最先端のSi IGBTおよびCoolSiC技術に基づく当社のモジュールは、クラス最高の性能、高速スイッチング、低スイッチング損失を提供し、システム効率を最大化します。AQG 324認定を受けた当社のモジュールは、トラクションインバータの設計と製造において高い使いやすさを提供します。

HybridPACKおよびEasyPACK製品ファミリーなど、インフィニオンの車載用IGBTモジュールは、EDT3などの最先端技術を備えており、優れた効率と高い信頼性を提供します。これらのモジュールは、30 kW から 250 kW までのインバーター電力クラスに対応し、ハーフブリッジおよび B6 ブリッジ構成で利用できるため、プラグイン ハイブリッド車や電気自动车に最適です。

インフィニオンの車載用パワーモジュールを活用することで、設計者はシステム効率を向上させ、コストを削減し、電気自动车アプリケーションの市場投入までの時間を短縮できます。

インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、シリコンIGBT、MOSFET、またはシリコンカーバイドMOSFETチップとゲートドライバを1つのパッケージに組み合わせたもので構成されています。ダイとゲートドライバーICの統合により、ディスクリートソリューションに比べてシステムサイズが小さくなります。

OptiMOS?デュアル フェーズおよびクアッド フェーズ スマート パワーモジュールは、OptiMOS?パワーステージと独自のインダクタ、コンデンサ、最適化されたパッケージを1つの基板に統合します。AI データセンターを主な対象とするこれらのモジュールは、垂直給電を実現する重要な要素であり、クラス最高の効率と電力密度を提供します。