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500 V~950 V CoolMOS? N チャネル パワー MOSFET

当社の500 V~950 V CoolMOS? NチャネルMOSFETポートフォリオの詳細をご覧ください – さまざまなアプリケーションに向けた革新的なMOSFETトランジスタ

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概要

インフィニオンのCoolMOS? MOSFETは、使いやすさ、優れた性能、競争力のある価格を兼ね備えた、最もバランスの取れた技術を誇っています。 CoolMOS?製品群は、サブワットからマルチkWまでの幅広いアプリケーションと高出力レベルに対応するように設計されています。

さらに、インフィニオンは、現場で最高の信頼性を確保し、常に車載用AEC-Q101の品质要件を超えて認定を受けている車載用スーパージャンクションMOSFETを提供しています。

インフィニオンの600 V、650 V、800 V CoolMOS? MOSFETは、車載アプリケーションをこれまで以上にコンパクトで高性能にするよう設計されています。

CoolMOS? MOSFETは、低電力および高電力アプリケーション向けのさまざまな革新的パッケージソリューションで提供され、最もクリーンなスイッチングと最も低温の動作を提供する上面放熱バージョンが含まれています。

CoolMOS? ポートフォリオをご覧ください。

設計の柔軟性: 低スイッチングから高スイッチングのアプリケーション向けのシステム最適化製品

競争力のある価格設定: 価値ベースの価格設定で活用された製造品质の専門知識

設計の容易さ: オンライン設計ツール、シミュレーションモデル、开発者コミュニティ、製品サポート

便利な選択と購入: 比較ツールを使用すると、適切な製品をすばやく選択し、流通ネットワークを通じて在庫状況を確認できます

品质と供給の安定性: 安定した長期製品供給を備えた最高の製造基準

最先端技術: インフィニオンはスーパージャンクションMOSFET技術のパイオニアであり、デバイス(Si、SiC、GaN)とパッケージングの両方で革新を続けています。

インフィニオンの革新的なCoolMOS? 500 V–950 V Nチャネルパワー惭翱厂贵贰罢の広範なポートフォリオにより、ハイパワー設計を強化できます。

CoolMOS? MOSFETは、優れた整流耐久性を備えた幅広い電圧クラスに対応しているため、効率と使いやすさが向上し、スイッチング損失と導通損失が大幅に低減されます。

  • P7 (600V、700V、800V、950V): フライバックベースの低電力および高電力SMPSアプリケーション向けに、クラス最高の価格性能比を実現
  • PFD7 (600V および 950V): 超高電力密度と最高効率の設計を実現
  • C7/G7 (600V および 650V): PFC、TTF、その他のハードスイッチング、およびハイエンドの LLC トポロジで優れた効率を実現
  • S7 (600V): 低いオン抵抗 (RDS(on)) 値を提供し、低導通損失を最も手頃な価格で必要とするアプリケーションに最適です
  • CFD7 (600 V および 650 V): 最適化されたボディ ダイオードにより、LLC や ZVS PSFB などの共振トポロジやハイエンド SMPS 市場に最適
  • CDF7A/C3A: フロントエンドとバックエンドに特別なスクリーニング対策が施され、AEC-Q101に準拠した高速スイッチングMOSFET
  • S7A: 従来の昇圧PFCトポロジー、HV eDisconnectおよびHV eFuseアプリケーションでのアクティブライン整流に最適

CoolMOS? NチャネルMOSFETが市場をリードしている理由をご覧ください。

インフィニオンのCoolMOS?スーパージャンクションMOSFET技術は、その卓越した品质と信頼性で広く認められています。 インフィニオンのMOSFETの品质は長年にわたって実証されており、数十億個のデバイスが出荷され、欠陥率が0.05DPM未満まで継続的に改善されています。 同様に、インフィニオンのMOSFETの信頼性は、1億7,500万時間で測定した0.1 FIT未満の高性能で実証されています。

インフィニオンは、MOSFET技術の黎明期から、品质を考慮した設計プログラムと継続的な生産改善活動により、堅牢で実績のある対策を実施してきました。 これらの結果を確実に達成するために、技術、設計、品质、信頼性、および製造チームの間で常に積極的なコラボレーションが行われています。 インフィニオンの取り組みは、インフィニオンの全拠点がISO/TS 16949認証を取得しているという事実にとどまりません。

インフィニオンのMOSFET技術で設計を変革し、さまざまなアプリケーションで比類のない性能、品质、信頼性を提供する最先端のソリューションを実現します。

インフィニオンのCoolMOS? MOSFETは、使いやすさ、優れた性能、競争力のある価格を兼ね備えた、最もバランスの取れた技術を誇っています。 CoolMOS?製品群は、サブワットからマルチkWまでの幅広いアプリケーションと高出力レベルに対応するように設計されています。

さらに、インフィニオンは、現場で最高の信頼性を確保し、常に車載用AEC-Q101の品质要件を超えて認定を受けている車載用スーパージャンクションMOSFETを提供しています。

インフィニオンの600 V、650 V、800 V CoolMOS? MOSFETは、車載アプリケーションをこれまで以上にコンパクトで高性能にするよう設計されています。

CoolMOS? MOSFETは、低電力および高電力アプリケーション向けのさまざまな革新的パッケージソリューションで提供され、最もクリーンなスイッチングと最も低温の動作を提供する上面放熱バージョンが含まれています。

CoolMOS? ポートフォリオをご覧ください。

設計の柔軟性: 低スイッチングから高スイッチングのアプリケーション向けのシステム最適化製品

競争力のある価格設定: 価値ベースの価格設定で活用された製造品质の専門知識

設計の容易さ: オンライン設計ツール、シミュレーションモデル、开発者コミュニティ、製品サポート

便利な選択と購入: 比較ツールを使用すると、適切な製品をすばやく選択し、流通ネットワークを通じて在庫状況を確認できます

品质と供給の安定性: 安定した長期製品供給を備えた最高の製造基準

最先端技術: インフィニオンはスーパージャンクションMOSFET技術のパイオニアであり、デバイス(Si、SiC、GaN)とパッケージングの両方で革新を続けています。

インフィニオンの革新的なCoolMOS? 500 V–950 V Nチャネルパワー惭翱厂贵贰罢の広範なポートフォリオにより、ハイパワー設計を強化できます。

CoolMOS? MOSFETは、優れた整流耐久性を備えた幅広い電圧クラスに対応しているため、効率と使いやすさが向上し、スイッチング損失と導通損失が大幅に低減されます。

  • P7 (600V、700V、800V、950V): フライバックベースの低電力および高電力SMPSアプリケーション向けに、クラス最高の価格性能比を実現
  • PFD7 (600V および 950V): 超高電力密度と最高効率の設計を実現
  • C7/G7 (600V および 650V): PFC、TTF、その他のハードスイッチング、およびハイエンドの LLC トポロジで優れた効率を実現
  • S7 (600V): 低いオン抵抗 (RDS(on)) 値を提供し、低導通損失を最も手頃な価格で必要とするアプリケーションに最適です
  • CFD7 (600 V および 650 V): 最適化されたボディ ダイオードにより、LLC や ZVS PSFB などの共振トポロジやハイエンド SMPS 市場に最適
  • CDF7A/C3A: フロントエンドとバックエンドに特別なスクリーニング対策が施され、AEC-Q101に準拠した高速スイッチングMOSFET
  • S7A: 従来の昇圧PFCトポロジー、HV eDisconnectおよびHV eFuseアプリケーションでのアクティブライン整流に最適

CoolMOS? NチャネルMOSFETが市場をリードしている理由をご覧ください。

インフィニオンのCoolMOS?スーパージャンクションMOSFET技術は、その卓越した品质と信頼性で広く認められています。 インフィニオンのMOSFETの品质は長年にわたって実証されており、数十億個のデバイスが出荷され、欠陥率が0.05DPM未満まで継続的に改善されています。 同様に、インフィニオンのMOSFETの信頼性は、1億7,500万時間で測定した0.1 FIT未満の高性能で実証されています。

インフィニオンは、MOSFET技術の黎明期から、品质を考慮した設計プログラムと継続的な生産改善活動により、堅牢で実績のある対策を実施してきました。 これらの結果を確実に達成するために、技術、設計、品质、信頼性、および製造チームの間で常に積極的なコラボレーションが行われています。 インフィニオンの取り組みは、インフィニオンの全拠点がISO/TS 16949認証を取得しているという事実にとどまりません。

インフィニオンのMOSFET技術で設計を変革し、さまざまなアプリケーションで比類のない性能、品质、信頼性を提供する最先端のソリューションを実現します。

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