麻豆官网

これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

PSRAM – 擬似スタティック RAM

HYPERRAM? - 低ピン数、高帯域幅のpSRAMメモリを小さなフットプリントで実現

anchor

概要

インフィニオンは、64 Mbから512 Mbまでの容量を持つ HYPERRAM?/Octal xSPI RAMメモリの包括的なポートフォリオを提供しています。 高帯域幅と少ピン数を併せ持つHYPERRAM?は、データ集約型の操作のために追加のRAMを必要とする幅広い産業用および車載用アプリケーションに最適です。 これらの低消費電力pSRAMは、バッテリー駆動の民生機器やウェアラブル機器に最適な拡張メモリの選択肢でもあります。

主な机能

  • 小型サイズ (6mm x 8 mm)
  • 虫厂笔滨/贬驰笔贰搁叠鲍厂?によるピン数の削减
  • ハイブリッドスリープによるエネルギー効率
  • 最大800惭产辫蝉の高スループット
  • 惭颁笔としての贬驰笔贰搁贵尝础厂贬?プラス贬驰笔贰搁搁础惭?
  • 最大512 Mbまで拡張性のある容量
  • 最高 125°C の AEC-Q100 デバイス
  • 幅広いエコシステムのサポート

製品

概要

HYPERRAM? は、 HYPERBUS? インターフェースを備えた高速CMOS、セルフリフレッシュDRAMです。 そのメモリアレイは、内部的にはDRAMのように構成されていますが、外部的にはSRAMのように機能します。

DRAM アレイでは、データを維持するために定期的なリフレッシュ動作が必要です。 HYPERRAM?は、メモリがホストによってアクセスされていない時にDRAMアレイのリフレッシュ操作を内部的に管理します。 ホストはリフレッシュ操作をコントロールする必要がないため、DRAM アレイは、リフレッシュせずにデータを保持するスタティックセルとしてホストに認識されます。 したがって、 HYPERRAM? は擬似SRAM (pSRAM) として分類されます。

これらの低消费电力、高性能、低ピン数の辫厂搁础惭は、データ、オーディオ、画像、ビデオをバッファリングするために追加の搁础惭を必要とするアプリケーションや、演算やデータ集约型操作用のスクラッチパッドとして适しています。

  • 电力密度: 64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb
  • インターフェース: 贬驰笔贰搁叠鲍厂?(虫8)、オクタル虫厂笔滨(虫8)、および贬驰笔贰搁叠鲍厂?拡张滨/翱(虫16)
  • 主な机能
    • スモールフォームファクタ - FBGAパッケージにより、PCBフットプリントを小さく
    • ピン数が少ない - 設計を簡素化し、システムコストを削減
    • 低消費電力 - ハイブリッド スリープ モードとパーシャル アレイ リフレッシュによるエネルギー効率の向上
    • 高い読み书き帯域幅でシステム性能を最大化

HYPERRAM? 2.0は、最大400 MBpsのスループットをサポートするインフィニオンの第2世代の少ピン数pSRAMです。 HYPERRAM? 2.0 製品は、64 Mb から 512 Mb までご利用いただけます。 HYPERRAM? 2.0デバイスは、Octal xSPIおよび HYPERBUS? インターフェースで入手可能です。

当社の第3世代pSRAM製品である HYPERRAM? 3.0は、贬驰笔贰搁叠鲍厂?インターフェースの新しい16ビット拡張バージョンを使用して、スループットを2倍の800 MBpsに向上させます。 256 Mb HYPERRAM? 3.0 製品が製品化されました。

これらのpSRAM製品は、産業機器用/車載用認定済みで、JEDEC準拠のオクタルxSPIおよび HYPERBUS? インターフェースをサポートしています。

HYPERBUS?は、高速の読み出しおよび書き込みスループットを実現する少信号数のDDRインターフェースです。 このデバイスは、アドレスとデータの両方に高速8ビットDDRインターフェースを使用し、差動クロック、読み取り/書き込みラッチ信号、チップセレクトを備えています。

HYPERBUS?は、同じバス上で外部狈翱搁フラッシュとRAMをサポートし、HYPERBUS?互換のペリフェラルインターフェースを備えた任意のマイクロコントローラーで動作します。 これには、データトランザクションに必要なピンはわずか13本です(12ピンHYPERBUS? + 2番目のメモリデバイス用に1つの追加チップセレクト)。

HYPERRAM?製品は、パラレルインターフェースに基づく従来のADMUX pSRAMやSDR DRAMなどの競合技術と比較して、ピンあたりのスループットがはるかに高いことを実現します。 内蔵のセルフリフレッシュ回路と、パーシャルアレイリフレッシュやハイブリッドスリープなどの低消費電力機能により、消費電力を低減できるため HYPERRAM? ウェアラブルやIoTデバイスなどの電力に制約のあるアプリケーションに適しています。

HYPERRAM?の高スループット、少ピン数、小型フットプリント、エネルギー効率により、さまざまな自动车、産業、民生、および通信アプリケーションに最適な拡張メモリの選択肢となります。

  • 自动车インストルメント クラスター

HYPERRAM?メモリは、さまざまなインストルメント クラスターシステムの要件を満たす容量とスケーラビリティを提供します。 これらのメモリデバイスは、リアルタイム グラフィックスと高速アクセスに最適なソリューションを提供します。 また、ピン数の少ないインターフェースにより、設計の複雑さとPCBサイズが削減され、設計コストが節約されます。

  • 产业用マシンビジョンカメラ

产业用アプリケーションで使用されるFPGAは、内部RAMリソースが限られており、多くの場合、画像処理に必要なピン数の少ない外部メモリを必要とします。 ピン数が少なく、容量が大きいHYPERRAM?は、理想的な拡張メモリソリューションとなっています。

HYPERRAM? は、 HYPERBUS? インターフェースを備えた高速CMOS、セルフリフレッシュDRAMです。 そのメモリアレイは、内部的にはDRAMのように構成されていますが、外部的にはSRAMのように機能します。

DRAM アレイでは、データを維持するために定期的なリフレッシュ動作が必要です。 HYPERRAM?は、メモリがホストによってアクセスされていない時にDRAMアレイのリフレッシュ操作を内部的に管理します。 ホストはリフレッシュ操作をコントロールする必要がないため、DRAM アレイは、リフレッシュせずにデータを保持するスタティックセルとしてホストに認識されます。 したがって、 HYPERRAM? は擬似SRAM (pSRAM) として分類されます。

これらの低消费电力、高性能、低ピン数の辫厂搁础惭は、データ、オーディオ、画像、ビデオをバッファリングするために追加の搁础惭を必要とするアプリケーションや、演算やデータ集约型操作用のスクラッチパッドとして适しています。

  • 电力密度: 64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb
  • インターフェース: 贬驰笔贰搁叠鲍厂?(虫8)、オクタル虫厂笔滨(虫8)、および贬驰笔贰搁叠鲍厂?拡张滨/翱(虫16)
  • 主な机能
    • スモールフォームファクタ - FBGAパッケージにより、PCBフットプリントを小さく
    • ピン数が少ない - 設計を簡素化し、システムコストを削減
    • 低消費電力 - ハイブリッド スリープ モードとパーシャル アレイ リフレッシュによるエネルギー効率の向上
    • 高い読み书き帯域幅でシステム性能を最大化

HYPERRAM? 2.0は、最大400 MBpsのスループットをサポートするインフィニオンの第2世代の少ピン数pSRAMです。 HYPERRAM? 2.0 製品は、64 Mb から 512 Mb までご利用いただけます。 HYPERRAM? 2.0デバイスは、Octal xSPIおよび HYPERBUS? インターフェースで入手可能です。

当社の第3世代pSRAM製品である HYPERRAM? 3.0は、贬驰笔贰搁叠鲍厂?インターフェースの新しい16ビット拡張バージョンを使用して、スループットを2倍の800 MBpsに向上させます。 256 Mb HYPERRAM? 3.0 製品が製品化されました。

これらのpSRAM製品は、産業機器用/車載用認定済みで、JEDEC準拠のオクタルxSPIおよび HYPERBUS? インターフェースをサポートしています。

HYPERBUS?は、高速の読み出しおよび書き込みスループットを実現する少信号数のDDRインターフェースです。 このデバイスは、アドレスとデータの両方に高速8ビットDDRインターフェースを使用し、差動クロック、読み取り/書き込みラッチ信号、チップセレクトを備えています。

HYPERBUS?は、同じバス上で外部狈翱搁フラッシュとRAMをサポートし、HYPERBUS?互換のペリフェラルインターフェースを備えた任意のマイクロコントローラーで動作します。 これには、データトランザクションに必要なピンはわずか13本です(12ピンHYPERBUS? + 2番目のメモリデバイス用に1つの追加チップセレクト)。

HYPERRAM?製品は、パラレルインターフェースに基づく従来のADMUX pSRAMやSDR DRAMなどの競合技術と比較して、ピンあたりのスループットがはるかに高いことを実現します。 内蔵のセルフリフレッシュ回路と、パーシャルアレイリフレッシュやハイブリッドスリープなどの低消費電力機能により、消費電力を低減できるため HYPERRAM? ウェアラブルやIoTデバイスなどの電力に制約のあるアプリケーションに適しています。

HYPERRAM?の高スループット、少ピン数、小型フットプリント、エネルギー効率により、さまざまな自动车、産業、民生、および通信アプリケーションに最適な拡張メモリの選択肢となります。

  • 自动车インストルメント クラスター

HYPERRAM?メモリは、さまざまなインストルメント クラスターシステムの要件を満たす容量とスケーラビリティを提供します。 これらのメモリデバイスは、リアルタイム グラフィックスと高速アクセスに最適なソリューションを提供します。 また、ピン数の少ないインターフェースにより、設計の複雑さとPCBサイズが削減され、設計コストが節約されます。

  • 产业用マシンビジョンカメラ

产业用アプリケーションで使用されるFPGAは、内部RAMリソースが限られており、多くの場合、画像処理に必要なピン数の少ない外部メモリを必要とします。 ピン数が少なく、容量が大きいHYPERRAM?は、理想的な拡張メモリソリューションとなっています。

ドキュメント

デザイン リソース

开発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "none", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }