醍狭郊利

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SiC MOSFETディスクリ`ト

400゛2000 VまでのCoolSiC? MOSFETディスクリ`トは、ハ`ドスイッチングおよび慌尅スイッチング トポロジ`に恷mです

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u瞳

古勣

遺看看鉛皆庄遺?トレンチ室宝により、ゲ`ト-ソ`ス寂窮R、アバランシェ塚楚、玉大塚楚、ハ`ドな屁送に鬉垢訥敲iボディダイオ`ドなど、アプリケ`ション耕嗤の字嬬のg廾に箔められる悲罷なパラメ`タセットに鬉垢襯櫞`トフォリオを戻工しています。

400V CoolSiC? MOSFETは、AIサ`バ`PSUのAC/DCステ`ジで聞喘するために蒙eに_kされたもので、ソ`ラ`システムやエネルギ`Aiシステムなどのアプリケ`ションにも恷mです。インフィニオンの650V CoolSiC? MOSFETは、寄送および詰床否楚で恷m晒されたスイッチング嘛を戻工し、サ`バ`、テレコム、モ`タ`l咾覆匹里気泙兇泙焚匍喘アプリケ`ション鬚韻穆Oされています。

1200V CoolSiC? MOSFETは、オンボ`ド割匂/PFC、a廁インバ`タ`、o唯坿廾崔(UPS)など、bI喘およびd喘のI圭のJ協アプリケ`ションで旋喘できます。1700V CoolSiC? MOSFETは、フライバック指揃として、們窮システム、互堀掘閣割窮、薦砿尖(SMPS)、および湊剩高k窮システムのソリュ`ション鬚韻北畊しています。恷瘁に、2000V CoolSiC? MOSFETは、互堀掘閣割窮や湊kシステム鬚韻離愁螢紿`ションとして、互Rアプリケ`ション鬚韻幕薦畜業とRマ`ジンを鯢呂靴壬u瞳を戻工しています。

ディスクリ`トパッケ`ジのCoolSiC? MOSFETは、薦楕個鋲(PFC)指揃、褒圭鬟肇櫂蹈県`、DC-DCコンバ`タまたはDC-ACインバ`タなどのハ`ドスイッチング トポロジ`と慌尅スイッチング トポロジ`のI圭に恷mです。Rまない篠伏タ`ンオン森にするれた塚來により、ブリッジ トポロジ`のゼロボルトのタ`ンオフRでも、詰スイッチングp払のベンチマ`クとなります。インフィニオンのTO-パッケ`ジおよびSMD┗軛g廾パッケ`ジのu瞳には、恷m晒されたスイッチング來嬬のためのケルビンソ`ス極徨も原奉しています。

輝芙は、階互堀SiC MOSFETスイッチングC嬬のニ`ズを困燭昂レいドライバICu瞳を聞喘して、SiCディスクリ`トu瞳を頼撹させます。CoolSiC?MOSFETとEiceDRIVER?ゲ`トドライバ鴛遺をMみ栽わせることで、紳福▲好擧`ス、嶷楚のs、何瞳方のp、システムの佚m來の鯢呂覆鼻SiC室gの旋泣が試喘されます。

ディスクリ`トパッケ`ジのCoolSiC? MOSFETには、互堀のフリ`ホイ`ルダイオ`ドが坪iされているため、ダイオ`ドチップを弖紗することなくハ`ドスイッチングが辛嬬です。このMOSFETはユニポ`ラ蒙來により、蒙に何蛍塞訳周和で、梁業に卆贋しない掲械に詰いスイッチングp払と詰いp払を幣します。

650゛2000 Vまでの輝芙鏡徭のCoolSiC? MOSFETディスクリ`トu瞳は、LLCやZVSなどのハ`ドおよび慌尅スイッチング トポロジ`に恷mで、糞弔淵鴬`トドライバを聞喘してIGBTまたはCoolMOS?のようにl咾任ます。これらの埓里淵妊丱ぅ垢蓮恷枠極のトレンチO、クラス恷互のスイッチングp払と宥p払、恷互の犹ゥ灰鵐瀬タンスレベル(ゲイン)、Vth = 4VのR、および玉j塚楚によってgFされるれたゲ`ト磨晒弔の佚m來を戻工します。

SiC MOSFETディスクリ`トは、デバイスの詰床否楚、梁業卆贋のないスイッチングp払、詰剃指瘏塞を笋┐芯敲iダイオ`ド、・侫蟋`のオン蒙來などの嶷勣な麼勣C嬬をMみzんでいます。

麼な旋泣は、絶抜恬匍の受、海勉凋と佚m來の鯢蓮互巓襖方強恬、システムコストの受、窮薦畜業の鯢蓮▲轡好謄爐慮企jさのX受、譜柴とg廾の否叟さをg屬垢誚邯澆紳覆任后

また、れたゲ`ト磨晒弔の佚m來、クラス恷互のスイッチングp払および宥p払、IGBT札Qのゲ`トl嚥R(+18 V)、R Vth > 4 V、玉j塚楚およびアバランシェ塚楚の埓緑圓覆匹も、SiC MOSFETディスクリ`トu瞳にvBするの旋泣としてい欧蕕譴泙后

CoolSiC? MOSFETなどの階互堀スイッチングパワ`トランジスタは、~Fされたゲ`ト竃薦セクションによってgにI尖できます。したがって、恷m盾としてインフィニオンのコアレストランス室gに児づくガルバニック~FされたEiceDRIVER? ゲ`トドライバ鴛遺を容Xします。

遺看看鉛皆庄遺?トレンチ室宝により、ゲ`ト-ソ`ス寂窮R、アバランシェ塚楚、玉大塚楚、ハ`ドな屁送に鬉垢訥敲iボディダイオ`ドなど、アプリケ`ション耕嗤の字嬬のg廾に箔められる悲罷なパラメ`タセットに鬉垢襯櫞`トフォリオを戻工しています。

400V CoolSiC? MOSFETは、AIサ`バ`PSUのAC/DCステ`ジで聞喘するために蒙eに_kされたもので、ソ`ラ`システムやエネルギ`Aiシステムなどのアプリケ`ションにも恷mです。インフィニオンの650V CoolSiC? MOSFETは、寄送および詰床否楚で恷m晒されたスイッチング嘛を戻工し、サ`バ`、テレコム、モ`タ`l咾覆匹里気泙兇泙焚匍喘アプリケ`ション鬚韻穆Oされています。

1200V CoolSiC? MOSFETは、オンボ`ド割匂/PFC、a廁インバ`タ`、o唯坿廾崔(UPS)など、bI喘およびd喘のI圭のJ協アプリケ`ションで旋喘できます。1700V CoolSiC? MOSFETは、フライバック指揃として、們窮システム、互堀掘閣割窮、薦砿尖(SMPS)、および湊剩高k窮システムのソリュ`ション鬚韻北畊しています。恷瘁に、2000V CoolSiC? MOSFETは、互堀掘閣割窮や湊kシステム鬚韻離愁螢紿`ションとして、互Rアプリケ`ション鬚韻幕薦畜業とRマ`ジンを鯢呂靴壬u瞳を戻工しています。

ディスクリ`トパッケ`ジのCoolSiC? MOSFETは、薦楕個鋲(PFC)指揃、褒圭鬟肇櫂蹈県`、DC-DCコンバ`タまたはDC-ACインバ`タなどのハ`ドスイッチング トポロジ`と慌尅スイッチング トポロジ`のI圭に恷mです。Rまない篠伏タ`ンオン森にするれた塚來により、ブリッジ トポロジ`のゼロボルトのタ`ンオフRでも、詰スイッチングp払のベンチマ`クとなります。インフィニオンのTO-パッケ`ジおよびSMD┗軛g廾パッケ`ジのu瞳には、恷m晒されたスイッチング來嬬のためのケルビンソ`ス極徨も原奉しています。

輝芙は、階互堀SiC MOSFETスイッチングC嬬のニ`ズを困燭昂レいドライバICu瞳を聞喘して、SiCディスクリ`トu瞳を頼撹させます。CoolSiC?MOSFETとEiceDRIVER?ゲ`トドライバ鴛遺をMみ栽わせることで、紳福▲好擧`ス、嶷楚のs、何瞳方のp、システムの佚m來の鯢呂覆鼻SiC室gの旋泣が試喘されます。

ディスクリ`トパッケ`ジのCoolSiC? MOSFETには、互堀のフリ`ホイ`ルダイオ`ドが坪iされているため、ダイオ`ドチップを弖紗することなくハ`ドスイッチングが辛嬬です。このMOSFETはユニポ`ラ蒙來により、蒙に何蛍塞訳周和で、梁業に卆贋しない掲械に詰いスイッチングp払と詰いp払を幣します。

650゛2000 Vまでの輝芙鏡徭のCoolSiC? MOSFETディスクリ`トu瞳は、LLCやZVSなどのハ`ドおよび慌尅スイッチング トポロジ`に恷mで、糞弔淵鴬`トドライバを聞喘してIGBTまたはCoolMOS?のようにl咾任ます。これらの埓里淵妊丱ぅ垢蓮恷枠極のトレンチO、クラス恷互のスイッチングp払と宥p払、恷互の犹ゥ灰鵐瀬タンスレベル(ゲイン)、Vth = 4VのR、および玉j塚楚によってgFされるれたゲ`ト磨晒弔の佚m來を戻工します。

SiC MOSFETディスクリ`トは、デバイスの詰床否楚、梁業卆贋のないスイッチングp払、詰剃指瘏塞を笋┐芯敲iダイオ`ド、・侫蟋`のオン蒙來などの嶷勣な麼勣C嬬をMみzんでいます。

麼な旋泣は、絶抜恬匍の受、海勉凋と佚m來の鯢蓮互巓襖方強恬、システムコストの受、窮薦畜業の鯢蓮▲轡好謄爐慮企jさのX受、譜柴とg廾の否叟さをg屬垢誚邯澆紳覆任后

また、れたゲ`ト磨晒弔の佚m來、クラス恷互のスイッチングp払および宥p払、IGBT札Qのゲ`トl嚥R(+18 V)、R Vth > 4 V、玉j塚楚およびアバランシェ塚楚の埓緑圓覆匹も、SiC MOSFETディスクリ`トu瞳にvBするの旋泣としてい欧蕕譴泙后

CoolSiC? MOSFETなどの階互堀スイッチングパワ`トランジスタは、~Fされたゲ`ト竃薦セクションによってgにI尖できます。したがって、恷m盾としてインフィニオンのコアレストランス室gに児づくガルバニック~FされたEiceDRIVER? ゲ`トドライバ鴛遺を容Xします。

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