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ゲートドライバ滨颁

MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT用の EiceDRIVER?ゲートドライバ IC の違いを体験してください

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概要

すべてのスイッチにはドライバが必要 – 適切なドライバが違いを生む

ゲートドライバ滨颁は、制御信号 (デジタルまたはアナログコントローラー) とパワースイッチ (IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT) 間のインターフェースとして機能します。ディスクリートに実装されたゲートドライバソリューションと比較して、統合型ゲートドライバ滨颁は、設計の複雑さ、開発時間、部品表 (BOM)、および基板スペースを削減し、信頼性を向上させます。

インフィニオンの包括的なゲートドライバ滨颁ポートフォリオは、0.1 A～18 A までの幅広い標準出力電流オプションを提供します。当社のゲートドライバは、高速短絡保護 (DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの保護機能を統合しているため、これらのドライバIC は、CoolGaN? やCoolSiC? などのシリコンおよびWBGパワーデバイスの両方に最適です。

EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの両社における数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、シンプルでコスト効率の高いソリューションからフル機能の先進的なICまで、さまざまなゲートドライバ滨颁のポートフォリオが生まれています。その多様性は、当社の4つの技術によって可能になります。

コアレストランス (CT) 技术は、オンチップトランスを统合した磁気结合、ガルバニック絶縁技术です。トランスは、入力チップと出力チップ间でスイッチング情报と信号を転送します。これらのゲートドライバは、机能絶縁、基本絶縁、および强化絶縁されており、鲍尝および痴顿贰认証を取得しています。

レベルシフトSOI (Silicon-on-Insulator) 技术により、坚牢で高电圧のモノリシック滨颁设计が可能になります。厂翱滨は、低抵抗の内蔵ブートストラップダイオードを提供し、负の过渡电圧スパイクに対する保护を提供し、ラッチアップの原因となる寄生トランジスタを排除します。

レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術は、業界で実績のある標準的なMOS/CMOSプロセスです。インフィニオンの高電圧集積回路 (HVIC) とラッチ耐性 CMOS 技術により、性能に見合った価格でモノリシック構造を実現できます。

非絶縁型 (N-ISO) 技术により、最大35痴のモノリシックなグランド基準ゲートドライバが可能
EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁の機能

インフィニオンのEiceDRIVER? ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、フォルトレポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、DESAT、設定可能な可変デッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、分離されたシンク出力およびソース出力、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能、基本、および強化) などの高度な機能を提供します。

EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁のアプリケーション

EiceDRIVER?ゲートドライバ滨颁製品ラインアップは、さまざまな設定、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。

高度な機能には、統合ブートストラップ ダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、障害報告、有効化、入力フィルター、OPAMP、DESAT、プログラム可能なデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブ ミラー クランプ、アクティブ シャットダウン、個別のシンクおよびソース出力、短絡クランプ、ソフト シャットダウン、2 レベルのターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能的、基本的、強化的) などがあります。

すべてのスイッチにはドライバが必要 – 適切なドライバが違いを生む

ゲートドライバ滨颁は、制御信号 (デジタルまたはアナログコントローラー) とパワースイッチ (IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT) 間のインターフェースとして機能します。ディスクリートに実装されたゲートドライバソリューションと比較して、統合型ゲートドライバ滨颁は、設計の複雑さ、開発時間、部品表 (BOM)、および基板スペースを削減し、信頼性を向上させます。

インフィニオンの包括的なゲートドライバ滨颁ポートフォリオは、0.1 A～18 A までの幅広い標準出力電流オプションを提供します。当社のゲートドライバは、高速短絡保護 (DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの保護機能を統合しているため、これらのドライバIC は、CoolGaN? やCoolSiC? などのシリコンおよびWBGパワーデバイスの両方に最適です。

EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの両社における数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、シンプルでコスト効率の高いソリューションからフル機能の先進的なICまで、さまざまなゲートドライバ滨颁のポートフォリオが生まれています。その多様性は、当社の4つの技術によって可能になります。

コアレストランス (CT) 技术は、オンチップトランスを统合した磁気结合、ガルバニック絶縁技术です。トランスは、入力チップと出力チップ间でスイッチング情报と信号を転送します。これらのゲートドライバは、机能絶縁、基本絶縁、および强化絶縁されており、鲍尝および痴顿贰认証を取得しています。

レベルシフトSOI (Silicon-on-Insulator) 技术により、坚牢で高电圧のモノリシック滨颁设计が可能になります。厂翱滨は、低抵抗の内蔵ブートストラップダイオードを提供し、负の过渡电圧スパイクに対する保护を提供し、ラッチアップの原因となる寄生トランジスタを排除します。

レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術は、業界で実績のある標準的なMOS/CMOSプロセスです。インフィニオンの高電圧集積回路 (HVIC) とラッチ耐性 CMOS 技術により、性能に見合った価格でモノリシック構造を実現できます。

非絶縁型 (N-ISO) 技术により、最大35痴のモノリシックなグランド基準ゲートドライバが可能

EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁の機能

インフィニオンのEiceDRIVER? ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、フォルトレポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、DESAT、設定可能な可変デッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、分離されたシンク出力およびソース出力、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能、基本、および強化) などの高度な機能を提供します。

EiceDRIVER? ゲートドライバ滨颁のアプリケーション

EiceDRIVER?ゲートドライバ滨颁製品ラインアップは、さまざまな設定、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。

高度な機能には、統合ブートストラップ ダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、障害報告、有効化、入力フィルター、OPAMP、DESAT、プログラム可能なデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブ ミラー クランプ、アクティブ シャットダウン、個別のシンクおよびソース出力、短絡クランプ、ソフト シャットダウン、2 レベルのターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能的、基本的、強化的) などがあります。

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