醍狭郊利

古勣

トレンチテクノロジ`を駻辰靴塵造靴CoolSiC? MOSFET G2は、SiCテクノロジ`に仟たなレベルの互來嬬をgFしました。匯違議な薦Qスキ`ムであるAC/DC、DC/DC、DC/ACのあらゆるMみ栽わせで、恷互の瞳嵎児覆困燭靴討い泙后Ｌ剩高k窮インバ`タ`、們システム、 掘閣割窮、恢匍喘窮坿、モ`タ`l咫▲肇薀ションインバ`タ`、オンボ`ドチャ`ジャ`、DC-DCコンバ`タ`など、SiC MOSFETがSiの旗紋瞳に曳べて、互い來嬬を戻工する謹くのユ`スケ`スがあります。

麼な字嬬
  • 650 V/1200 V CoolSiC? MOSFET G2
  • 恷弌レベルの檎DS(on)
  • 嫌ﾚいu瞳ラインナップ
  • 鏡徭の釈昔來
アプリケ`ション
掘閣割窮
エネルギ`廈iシステム
モ`タ`崙囮
湊剩高k窮

u瞳

古勣

1 Wあたりの薦Q紳

薦p払は寄きな}です。仟しい CoolSiC? MOSFET G2のトレンチテクノロジ`は、AC/DC、DC/DC、DC/ACQrに喘いられる匯違議なトポロジ`において、薦工oをさらに個鋲します。ハ`ド スイッチングおよびソフト スイッチングl咾I圭で、MOFSFETの麼勣蒙來が念弊旗u瞳に曳べて20%參貧鯢呂靴討い泙后また、SiC MOSFETの蒙Lである互堀スイッチング嬬薦も30%參貧鯢呂靴討い泙后そのY惚、G2は、PVインバ`タ`、ESSO筺掘閣割窮、UPS、トラクションインバ`タ`、オンボ`ドチャ`ジャ`、DC-DCコンバ`タ`などのすべての嘛モ`ドで、より詰い薦p払で嘛します。また、眉爐竜臍篁札轡好謄爐砲いても、塞に鬉犬董念弊旗よりも5゛30% 詰い薦p払で嘛し、薦Qrの１ＷあたりのM薦をもれなくsすることができます。

インフィニオン鏡徭の.掛意犹ソ唳麓縞 (ディスクリ`ト パッケ`ジTO-263-7、TO-247-4など) のさらなるMiにより、慧痂堋椶鮠S隔しながらチップの來嬬を鯢呂気擦襦△箸いΕ僖鍠`デバイス慌宥のn}を盾Qしています。CoolSiC? MOSFET G2の慧痂圓惑以栖瞳から12%鯢呂靴討り、SiC MOSFETチップの來嬬を仟たなレベルに哈き貧げました。

揖じフォ`ムファクタ`でより互い窮薦畜業をgF

SiCのL侭をy栽: スモ`ル フォ`ムファクタ`で詰薦p払をgF。SiC MOSFETのオン丘森が詰いほど、宥p払も弌さくなるため、Q紳覆よび薦畜業の鯢蓮何瞳泣方のpが辛嬬になります。CoolSiC? G2 MOSFETのu瞳ラインナップは、SiC MOSFET偏で恷も詰いRdsonをgFしています。燕中g廾 (SMD) パッケ`ジで恷互クラスのu瞳ラインナップとして、TO263-7パッケ`ジで協鯉650 Vで7 mΩ、協鯉1200 Vで8 mΩのu瞳をご旋喘いただけます。.掛意犹ソ唳麓縞によるパッケ`ジの個鋲により、甬嵜垢詰pされ、竃薦薦が紗し、嘛梁業が詰和します。SMDパッケ`ジで工oできる薦は60%參貧紗し、薦Q圭塀において辛嬬な薦畜業を哈き貧げます。

皆庄遺の來嬬試喘の仟たな児覆鯢莇

SiCへの誘Y署~を恷寄晒。L豚gの嘛でも恷互の來嬬をk]するため、CoolSiC? MOSFET G2u瞳には謹な仟しい仝埓緑圈垢喜dされています。

協鯉1200 Vのu瞳を聞いたい栽、デ`タシ`トに150≧rの恷寄オン丘森､dされており、O宀はこのデ`タを試喘することができます。互梁嘛rの蒙來蛍下が音_かなことで弖紗マ`ジンを深]する駅勣がoいため、CoolSiC? MOSFETの嬬薦をフル試喘することができます。

1200 V CoolSiC? MOSFET G2 のデ`タシ`トには、∀襯献礇鵐ション梁業 200＜C までの^塞嘛がdされています。この訳周はTO-263-7 パッケ`ジで兜めて秘されたものです。狼yB狼のR咾覆匹砲茲諧^塞に鬉垢襪燭瓠▲轡好謄默O宀は、念弊旗u瞳よりも互い竃薦送でのOや、絶抜の返gをpらすことができます。また、デ`タシ`トにはアバランシェ塚楚もdされており、このような^送k伏にするシステムOの返gもXpします。

CoolSiC? MOSFET G2u瞳のデ`タシ`ト碧では、`タ`ンオンにする薦な塚來、ハ`ドコミュテ`ション喘の埓里淵椒妊ダイオ`ド嘛、また玉j塚楚などの方､dされています。

CoolSiC?は、インフィニオンが戻工する恷互瞳嵎のもう1つのれた箭

恷除のシリコン パワ` デバイスは、すべてトレンチベ`スで、プレ`ナ`室gから崔きQわっています。SiCの栽、トレンチOによる來嬬の了來については、シリコンパワ`珂或皆酷掘意室gのM晒と貌泣が謹くあります。SiCデバイスではその可創蒙來から、罪圭鬚鳳箸戮匿k圭鬚僚臙罎稜穴畜業が广しく詰くなるため、SiCのトレンチOには、佚m來という蒙Pすべき旋泣もあります。

これにより、來嬬と埓緑圓鯰梼m來と匯崑させる、仟たな恷m晒の辛嬬來が_かれます。佚m來は、インフィニオンのすべてのパワ`デバイス_kの児云であり、CoolSiC? MOSFET G2トレンチ室gは、G1の互い佚m來をS隔しています。bI喘CoolSiC? MOSFET G1のu瞳卦瞳楕は、ディスクリ`トおよびモジュ`ルの畠嗔u瞳に児づくDPM (100嵐あたりの音措方) デ`タによると、きわめて撹母した室gであるシリコンベ`スのパワ`スイッチをさらに和指っています。インフィニオンはまた、アプリケ`ションのu瞳勉凋Yにおけるパイオニアであり、F壓ではJEDECｸ颪北惷┐淋Yが弖紗されています。CoolSiC?トレンチMOSFETのOは、F壓および繍栖の薦Q紳覆する隔A辛嬬な尸薦を陥Mします。

1 Wあたりの薦Q紳

薦p払は寄きな}です。仟しい CoolSiC? MOSFET G2のトレンチテクノロジ`は、AC/DC、DC/DC、DC/ACQrに喘いられる匯違議なトポロジ`において、薦工oをさらに個鋲します。ハ`ド スイッチングおよびソフト スイッチングl咾I圭で、MOFSFETの麼勣蒙來が念弊旗u瞳に曳べて20%參貧鯢呂靴討い泙后また、SiC MOSFETの蒙Lである互堀スイッチング嬬薦も30%參貧鯢呂靴討い泙后そのY惚、G2は、PVインバ`タ`、ESSO筺掘閣割窮、UPS、トラクションインバ`タ`、オンボ`ドチャ`ジャ`、DC-DCコンバ`タ`などのすべての嘛モ`ドで、より詰い薦p払で嘛します。また、眉爐竜臍篁札轡好謄爐砲いても、塞に鬉犬董念弊旗よりも5゛30% 詰い薦p払で嘛し、薦Qrの１ＷあたりのM薦をもれなくsすることができます。

インフィニオン鏡徭の.掛意犹ソ唳麓縞 (ディスクリ`ト パッケ`ジTO-263-7、TO-247-4など) のさらなるMiにより、慧痂堋椶鮠S隔しながらチップの來嬬を鯢呂気擦襦△箸いΕ僖鍠`デバイス慌宥のn}を盾Qしています。CoolSiC? MOSFET G2の慧痂圓惑以栖瞳から12%鯢呂靴討り、SiC MOSFETチップの來嬬を仟たなレベルに哈き貧げました。

揖じフォ`ムファクタ`でより互い窮薦畜業をgF

SiCのL侭をy栽: スモ`ル フォ`ムファクタ`で詰薦p払をgF。SiC MOSFETのオン丘森が詰いほど、宥p払も弌さくなるため、Q紳覆よび薦畜業の鯢蓮何瞳泣方のpが辛嬬になります。CoolSiC? G2 MOSFETのu瞳ラインナップは、SiC MOSFET偏で恷も詰いRdsonをgFしています。燕中g廾 (SMD) パッケ`ジで恷互クラスのu瞳ラインナップとして、TO263-7パッケ`ジで協鯉650 Vで7 mΩ、協鯉1200 Vで8 mΩのu瞳をご旋喘いただけます。.掛意犹ソ唳麓縞によるパッケ`ジの個鋲により、甬嵜垢詰pされ、竃薦薦が紗し、嘛梁業が詰和します。SMDパッケ`ジで工oできる薦は60%參貧紗し、薦Q圭塀において辛嬬な薦畜業を哈き貧げます。

皆庄遺の來嬬試喘の仟たな児覆鯢莇

SiCへの誘Y署~を恷寄晒。L豚gの嘛でも恷互の來嬬をk]するため、CoolSiC? MOSFET G2u瞳には謹な仟しい仝埓緑圈垢喜dされています。

協鯉1200 Vのu瞳を聞いたい栽、デ`タシ`トに150≧rの恷寄オン丘森､dされており、O宀はこのデ`タを試喘することができます。互梁嘛rの蒙來蛍下が音_かなことで弖紗マ`ジンを深]する駅勣がoいため、CoolSiC? MOSFETの嬬薦をフル試喘することができます。

1200 V CoolSiC? MOSFET G2 のデ`タシ`トには、∀襯献礇鵐ション梁業 200＜C までの^塞嘛がdされています。この訳周はTO-263-7 パッケ`ジで兜めて秘されたものです。狼yB狼のR咾覆匹砲茲諧^塞に鬉垢襪燭瓠▲轡好謄默O宀は、念弊旗u瞳よりも互い竃薦送でのOや、絶抜の返gをpらすことができます。また、デ`タシ`トにはアバランシェ塚楚もdされており、このような^送k伏にするシステムOの返gもXpします。

CoolSiC? MOSFET G2u瞳のデ`タシ`ト碧では、`タ`ンオンにする薦な塚來、ハ`ドコミュテ`ション喘の埓里淵椒妊ダイオ`ド嘛、また玉j塚楚などの方､dされています。

CoolSiC?は、インフィニオンが戻工する恷互瞳嵎のもう1つのれた箭

恷除のシリコン パワ` デバイスは、すべてトレンチベ`スで、プレ`ナ`室gから崔きQわっています。SiCの栽、トレンチOによる來嬬の了來については、シリコンパワ`珂或皆酷掘意室gのM晒と貌泣が謹くあります。SiCデバイスではその可創蒙來から、罪圭鬚鳳箸戮匿k圭鬚僚臙罎稜穴畜業が广しく詰くなるため、SiCのトレンチOには、佚m來という蒙Pすべき旋泣もあります。

これにより、來嬬と埓緑圓鯰梼m來と匯崑させる、仟たな恷m晒の辛嬬來が_かれます。佚m來は、インフィニオンのすべてのパワ`デバイス_kの児云であり、CoolSiC? MOSFET G2トレンチ室gは、G1の互い佚m來をS隔しています。bI喘CoolSiC? MOSFET G1のu瞳卦瞳楕は、ディスクリ`トおよびモジュ`ルの畠嗔u瞳に児づくDPM (100嵐あたりの音措方) デ`タによると、きわめて撹母した室gであるシリコンベ`スのパワ`スイッチをさらに和指っています。インフィニオンはまた、アプリケ`ションのu瞳勉凋Yにおけるパイオニアであり、F壓ではJEDECｸ颪北惷┐淋Yが弖紗されています。CoolSiC?トレンチMOSFETのOは、F壓および繍栖の薦Q紳覆する隔A辛嬬な尸薦を陥Mします。

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