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M¨¹nchen ¨C 2. Juli 2025 ¨C Um der steigenden Nachfrage nach Galliumnitrid-(GaN)-Halbleitern zu begegnen und von diesem Trend zu profitieren, st?rkt die Â鶹¹ÙÍø ihre Position als f¨¹hrender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt weiter. Heute gab das Unternehmen bekannt, dass seine Umsetzung der skalierbaren GaN-Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern im Zeitplan liegt. Mit ersten Samples, die Kunden im 4. Quartal 2025 zur Verf¨¹gung stehen, ist Infineon in einer starken Position, um seine Kundenbasis zu erweitern und seinen Status als f¨¹hrendes GaN-Powerhouse weiter zu festigen.

Als Marktf¨¹hrer im Bereich Leistungselektronik beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid. Durch h?here Leistungsdichte, schnellere Schaltzeiten und geringere Leistungsverluste erm?glichen GaN-Halbleiter kleinere Designs und reduzieren den Energieverbrauch sowie die W?rmeentwicklung in elektronischen Ger?ten wie Smartphone-Ladeger?ten, Industrie- und Humanoiden Robotern oder Solarwechselrichtern.

?Mit einer vollst?ndig hochskalierten 300-Millimeter-GaN-Fertigung werden wir unseren Kunden h?chste Qualit?t noch schneller liefern k?nnen, w?hrend wir auf eine Kostenparit?t f¨¹r vergleichbare Silizium- und GaN-Produkte zusteuern¡°, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter der GaN-Business-Line bei Infineon. ?Fast ein Jahr nach der Ank¨¹ndigung des Durchbruchs von Infineon bei der 300-Millimeter-GaN-Wafer-Technologie sind wir erfreut, dass unser ?bergangsprozess voll im Plan liegt. Die Branche hat die Bedeutung von Infineons GaN-Technologie, die durch die St?rke unserer IDM-Strategie erm?glicht wird, anerkannt.¡°

Die Fertigungsstrategie von Infineon basiert in erster Linie auf einem IDM-Modell, bei dem das Unternehmen den gesamten Halbleiterfertigungsprozess, von der Entwicklung bis zur Fertigung und zum Verkauf des Endprodukts, besitzt. Die sogenannte In-House-Fertigungsstrategie des Unternehmens ist ein wichtiger Unterschied im Markt, der Vorteile wie eine hohe Qualit?t, schnellere Produkteinf¨¹hrung sowie eine einzigartige Design- und Entwicklungsflexibilit?t bietet. Infineon hat das klare Ziel, seine GaN-Kunden zu unterst¨¹tzen und kann die Kapazit?ten f¨¹r aktuelle Kundenbed¨¹rfnisse nach zuverl?ssigen und hochwertigen GaN-Leistungsprodukten bereitstellen.

Aufbauend auf seiner technologischen F¨¹hrungsposition ist Infineon der erste Halbleiterhersteller, der erfolgreich Leistungswafer-Technologie auf einer Gr??e von 300 Millimetern innerhalb seiner bestehenden Hochvolumen-Fertigungsinfrastruktur entwickelt hat. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technisch fortgeschrittener und wesentlich effizienter als auf etablierten 200-Millimeter-Wafern. Der gr??ere Waferdurchmesser erm?glicht es, 2,3-mal mehr Chips pro Wafer zu produzieren. Dieses Know-How in Kombination mit Infineons herausragendem Team von GaN-Experten und dem breitesten IP-Portfolio der Branche sind erforderlich, da GaN-Leistungshalbleiter vermehrt in industriellen und automobilen Anwendungen eingesetzt werden. Zu den weiteren GaN-Zielapplikationen geh?ren Verbraucher-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen wie Stromversorgungen f¨¹r KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladeger?te und Adapter oder Motorsteuerungssysteme.

Marktanalysten erwarten, dass der GaN-Umsatz f¨¹r Leistungsanwendungen bis 2030 um 36 Prozent pro Jahr auf etwa 2,5 Milliarden US-Dollar steigen wird [1]. Infineons dedizierte Fertigungskapazit?ten und ein starkes Portfolio mit mehr als 40 neuen GaN-Produktank¨¹ndigungen im letzten Jahr, machen das Unternehmen zu einem bevorzugten Partner f¨¹r Kunden, die nach hochwertigen GaN-L?sungen suchen.

[1] Yole Group; Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor, Q2 2025

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Besch?ftigte (Ende September 2024) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.

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