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• Mit der bahnbrechenden 300-Millimeter-GaN-Technologie wird Infineon den schnell wachsenden GaN-Markt formen
• Infineon wird bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung nutzen, um Effizienz des Kapitaleinsatzes in der GaN-Produktion zu maximieren
• 300-Millimeter-GaN-Fertigung wird dazu beitragen, im Laufe der Zeit Kostengleichheit mit Silizium zu erreichen

M¨¹nchen, Deutschland und Villach, ?sterreich - 11. September 2024 ¨C Die Â鶹¹ÙÍø gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie f¨¹r die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt f¨¹r GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der gr??ere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer erm?glicht.

Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden z¨¹gige Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen (?Consumer, Computing & Communications¡°). Beispiele sind Stromversorgungen f¨¹r KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladeger?te und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Modernste GaN-Fertigungsverfahren verbessern die Leistung der Bauelemente; das erm?glicht eine h?here Effizienz, geringere Gr??e und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Die 300-Millimeter-Fertigung sichert Kunden dar¨¹ber hinaus eine hervorragende Versorgungsstabilit?t durch Skalierbarkeit.

?Dieser bemerkenswerte Erfolg ist das Ergebnis unserer Innovationskraft und der engagierten Arbeit unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsf¨¹hrer in den Bereichen GaN und Power-Systemen¡°, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Â鶹¹ÙÍø. ?Dieser technologische Durchbruch wird die Branche ver?ndern und uns helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschlie?en. Weniger als ein Jahr nach der ?bernahme von GaN Systems beweisen wir erneut, dass wir entschlossen sind, eine f¨¹hrende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen. Infineon beherrscht als f¨¹hrender Anbieter von Power-Systemen alle drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.¡°

Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (?sterreich) herzustellen. Das Unternehmen nutzt dabei seine etablierte Kompetenz in der 300-Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Infineon wird die GaN-Kapazit?ten entsprechend den Marktbed¨¹rfnissen weiter ausbauen. Die 300-Millimeter-GaN-Fertigung wird Infineon in die Lage versetzen, den wachsenden GaN-Markt zu pr?gen, der Sch?tzungen zufolge bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden US-Dollar erreichen wird.

Der herausragende technologische Erfolg unterstreicht die Position von Infineon als weltweit f¨¹hrendes Halbleiterunternehmen im Bereich der Power-Systeme und des Internets der Dinge (IoT). Mit einer 300-Millimeter-GaN-Technologie und der damit einhergehenden Kosteneffizienz sowie der F?higkeit, die gesamte Bandbreite von Kundensystemen zu adressieren, st?rkt Infineon bestehende und erm?glicht neue L?sungen und Anwendungsfelder. Infineon wird die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in M¨¹nchen der ?ffentlichkeit vorstellen.

Ein wesentlicher Vorteil der 300-Millimeter-GaN-Technologie besteht darin, dass sie bestehende 300-Millimeter-Fertigungsanlagen f¨¹r Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ?hnlich sind. Die bestehenden 300-Millimeter-Silizium-Produktionslinien von Infineon sind ideal, um eine zuverl?ssige GaN-Technologie auf den Weg zu bringen sowie eine beschleunigte Einf¨¹hrung und einen effizienten Kapitaleinsatz zu erm?glichen. Eine vollst?ndig skalierte 300-Millimeter-GaN-Produktion wird dazu beitragen, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium in Bezug auf R _DS(on)-Kennwerte gleichziehen ¨C was Kostengleichheit f¨¹r vergleichbare Si- und GaN-Produkte bedeutet.

Die 300-Millimeter-GaN-Technologie ist ein weiterer Meilenstein in der strategischen Innovationsf¨¹hrerschaft von Infineon und unterst¨¹tzt das Ziel der Dekarbonisierung und Digitalisierung.

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Halbleiterhersteller f¨¹r Energiesysteme und IoT. Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen besch?ftigt weltweit rund 58.600 Mitarbeiter und erwirtschaftete im Gesch?ftsjahr 2023 (Ende: 30. September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist an der Frankfurter B?rse notiert (Tickersymbol: IFX) und in den USA am OTCQX International Over-the-Counter-Markt (Tickersymbol: IFNNY).

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