Automotive-MOSFETs
Infineon bietet eine breite Palette von Leistungs-MOSFETs einschlie?lich n-Kanal-, p-Kanal- und Zweikanal-MOSFETs f¨¹r Automobilanwendungen, die ¨¹ber AEC-Q101 hinaus qualifiziert sind.
Durch den Einsatz hochwertiger Komponenten, wie z. B. Leistungs-MOSFETs f¨¹r den Automobilbereich von Infineon, lassen sich auf MOSFETs zur¨¹ckzuf¨¹hrende Ausf?lle auf ein absolutes Minimum reduzieren. Unser Engagement f¨¹r den Erfolg unserer Kunden und f¨¹r die allgemeine Verkehrssicherheit zeigt sich darin, dass alle Automotive-MOSFETs, die unseren Namen tragen, weit ¨¹ber die Anforderungen von AEC-Q101 hinaus die h?chstm?glichen Qualit?tsstandards einhalten.
Das Portfolio von Infineon an OptiMOS?-Leistungs-MOSFETs mit Qualifizierung f¨¹r den Automobilbereich zeichnet sich durch Benchmark-Qualit?t in einem Bereich von 20 V bis 300 V, eine Vielfalt von Geh?usen und einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS (on)) bis minimal 0,55 m¦¸ aus. CoolMOS?-Superjunction-MOSFETs vervollst?ndigen das Angebot an Produkten mit Automotive-Qualifizierung f¨¹r den Bereich von 300 V bis 800 V in SMD- und Through-Hole-Geh?usen.
Wir bieten st?ndig die neuesten, auf Spitzenleistung ausgelegten MOSFET-Produkte f¨¹r den Automobilbereich auf Grundlage der branchenweit f¨¹hrenden MOSFET-Technologie von Infineon mit ausgezeichneter Qualit?t und in robuster Ausf¨¹hrung:
- Erstklassige RDS (on)-Eigenschaften bei Trench-Technologien
- H?chste Stromkapazit?t in Standardgeh?usen
- Niedrigste Schalt- und Leitf?higkeitsverluste
- Robuste Geh?usetechnologie
Automotive-MOSFETs von Infineon werden zur Ansteuerung von Motoren in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, z. B. f¨¹r Pumpen, L¨¹fter, L¨¹ftungssysteme, Sitzverstellungen oder Schiebed?cher. Weiterhin kommen sie in sicherheitskritischen Anwendungen wie elektrischen Servolenkungen und elektrischen Brems- und Einspritzsystemen zum Einsatz. Dar¨¹ber hinaus dienen sie als Schalter in On-Board-Batterieladeger?ten, Hoch- und Niedervolt-Gleichspannungswandlern sowie in Batteriemanagementsystemen und Wechselrichtern.
Das Wichtigste dabei: Wir haben immer genau den richtigen MOSFET im passenden Geh?use f¨¹r Ihre Automobilanwendung.
In Verbindung mit Sensoren, Mikrocontrollern und weiteren erforderlichen Halbleiterl?sungen bietet Infineon ein breites Spektrum an Automotive-MOSFETs, die auf dem Hintergrund des Wissens und der Erfahrungen von Jahrzehnten entwickelt wurden.
Unser umfangreiches Portfolio an Automotive-MOSFETs umfasst p-Kanal-MOSFETS und n-Kanal-MOSFETS in einer Vielzahl von Geh?usen. Entsprechend den Anforderungen Ihrer Anwendung stehen Ausf¨¹hrungen mit einzelner oder doppelter Halbbr¨¹ckenschaltung und in Geh?usen mit Top-Side-K¨¹hlung zur Verf¨¹gung.
Infineon bietet eine umfangreiche Produktpalette an Leistungs-MOSFETs mit p-Kanal f¨¹r Automobilanwendungen in bedrahteten Geh?usen mit OptiMOS?-P2- und Gen5-Technologie.
Unser Portfolio an p-Kanal-MOSFETs f¨¹r den Automobilbereich umfasst 30-V-, 40-V-, 55-V- und 150-V-Produkte mit dem branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand (R DS (on) ) bei 40 V und den h?chsten Stromkapazit?ten. Au?erdem weisen die MOSFETs vollst?ndige Avalanche-Festigkeit auf.
Dank unseres Portfolios an Automotive-MOSFETs mit n-Kanal, die in einer Vielzahl von Geh?usen erh?ltlich sind, bieten wir ultimative Designflexibilit?t und decken ein breites Spektrum von Anforderungen ab. Hier finden Sie ab einer Gr??e von 3 mm x 3 mm und bis hin zu 10 mm x 15 mm den geeigneten MOSFET f¨¹r die Anforderungen Ihrer Anwendung.
Zudem vervollst?ndigt der mit Halbbr¨¹ckenschaltung ausgef¨¹hrte MOSFET f¨¹r 40-V-Anwendungen zur Motoransteuerung, den wir ganz neu auf den Markt gebracht haben, das Portfolio f¨¹r diese speziellen Anwendungen. Mit seinem brandneuen 10 mm x 15 mm-Geh?use einschlie?lich Top-Side-K¨¹hlung f¨¹r Anwendungen, die h?chste Leistungsdichte erfordern, wird ferner Platz eingespart, und es entstehen keine zus?tzlichen Kosten f¨¹r K¨¹hlkomponenten.
Siliziumcarbid-MOSFETs (SiC) zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad und au?erordentliche Zuverl?ssigkeit f¨¹r Anwendungen im Automobilbereich aus. Die umfangreiche Palette an Automotive-SiC-MOSFETs von Infineon umfasst CoolSiC?-MOSFETs, diskrete SiC-MOSFETs und CoolSiC?-MOSFET-Module auf der Basis von Siliziumcarbid.
Diese SiC-MOSFETs f¨¹r den Automobilbereich punkten mit optimaler Leistung und h?chster Betriebssicherheit. Zudem ben?tigen sie weniger Platz und sind leichter.
Die Anwendungen f¨¹r Automotive-MOSFETs betreffen die Bereiche Fahrzeugelektronik, Antriebsstrang, Fahrwerk und Sicherheit, Fahrzeugsicherung, elektrischer Antrieb und Infotainment-Systeme.
N?heres zu allen unseren L?sungen f¨¹r den Automobilbereich finden sie auf unserer Seite f¨¹r Automobilanwendungen.
Doppel-Halbbr¨¹cke SSO8
Der Doppel-Halbbr¨¹cken-MOSFET im 5 x 6 mm2-SSO8-Geh?use ist ideal f¨¹r Einzellasten geeignet. Bei Br¨¹ckenschaltungen ist das Routing mit einem Doppel-MOSFET kompliziert und erfordert eine gro?e Leiterplattenfl?che. Dar¨¹ber hinaus ist die Nennstromst?rke in den SSO8-Doppel-Packages auf 20 A begrenzt.
Durch die Verwendung der integrierten Halbbr¨¹cke wird die Leiterplattenfl?che erheblich reduziert, da hiermit ein besseres Routing f¨¹r Br¨¹ckenschaltungen m?glich ist. Die neu entwickelte Halbbr¨¹cke basiert auf der optimierten OptiMOS?-6-Technologie. Die Produkte dieses Portfolios zeichnen sich durch einen gro?en R DS (on)-Bereich von 3,0 m¦¸ bis 7,0 m¦¸ und eine h?here Nennstromst?rke von 60 A aus.
M?gliche Anwendungen: Motorsteuerung, Fensterheber, Bordnetzsteuerger?t (BCM), Feststellbremse, Sitzsteuermodul
Hauptmerkmale:
- Integrierte Halbbr¨¹cke ¨C SSO8 (5x6)
- 5 x 6 mm2-Geh?use mit geringerem Platzbedarf und optimiertem Layout f¨¹r B6-Br¨¹ckenschaltungen
- Neuester OptiMOS?-6 f¨¹r 40 V mit minimalen Schalt- und Leitf?higkeitsverlusten
- JEDEC-gelistetes Geh?use
- Kosteneffizienz f¨¹r Ansteuerungsanwendungen mit niedriger und mittlerer Leistung
- Verl?teter CU-Clip
- Erheblich verringerte Leiterplattenfl?che dank verbessertem Routing f¨¹r Br¨¹ckenschaltungsanwendungen
- RDS (ON)-Bereich 3,0 m¦¸ bis 7,0 m¦¸
- H?herer Nennstrom von 60 A
Vorstellung von sTOLL: das neueste unbedrahtete 7 x 8 mm?-Geh?use f¨¹r Hochleistungs-MOSFETs mit OptiMOS-5? 40 V und OptiMOS-6? 40 V f¨¹r die Automobilanwendungen der Zukunft (JEDEC: MO-319, IEC: HSOF-5).
MOSFET-Geh?usevarianten f¨¹r den Automobilbereich
Da Infineon genau wei?, was Automobilhersteller und Verbraucher jetzt und in der Zukunft ben?tigen und erwarten, werden Automotive-MOSFETS so entwickelt, dass sie die Anforderungen des Standards AEC-Q101 f¨¹r die Qualifizierung ¨¹bertreffen. Der Standard ist f¨¹r sich genommen eine wichtige Vorgabe, aber uns geht er nicht weit genug.
Der Grund f¨¹r unsere Einsch?tzung wird deutlich, wenn wir uns einmal die Schw?chen von AEC-Q101 ansehen. Zum einen deckt der Standard weder untypische oder anspruchsvolle Einsatzprofile ab, noch wird die Konstanz des Herstellungsprozesses im zeitlichen Verlauf betrachtet. Dar¨¹ber hinaus ber¨¹cksichtigt der Standard dpm-Werte (Defects per Million) erst ab 10.000. Im Vergleich dazu erreichen wir mit unseren deutlich robusteren Automotive-MOSFETs den niedrigstm?glichen dpm-Wert (unter 0,1).
Warum gehen wir bei Infineon ¨¹ber AEC-Q101 hinaus? H?chste Qualit?tsstandards einzuhalten, ist eine Zielsetzung, die unser gesamtes Unternehmen durchdringt, auch wenn dies bedeutet, weitaus mehr tun zu m¨¹ssen, als gefordert ist. In diesem Fall ist eine ?berschreitung des Standards erforderlich, damit Autos mit geringeren CO2-Emissionen sauberer und dank (halb-)autonomer Fahreigenschaften sicherer werden. Unser konsequenter Produktqualifizierungsprozess stellt sicher, dass die Fahrzeughersteller sich bei unseren Produkten auf das h?chstm?gliche Ma? an Zuverl?ssigkeit verlassen k?nnen.
Die ganz besonderen Vorteile der Leistungs-MOSFETs von Infineon f¨¹r den Automobilbereich
Durch die Kombination f¨¹hrender Technologien mit robusten Geh?usen gew?hrleisten unsere MOSFETs Leistung der Extraklasse in einer Reihe von Automobilanwendungen. Aber das ist noch nicht alles. Sie und Ihre Kunden profitieren au?erdem von folgenden Vorteilen:
Infineon unterst¨¹tzt den Designprozess mit folgenden Support-Angeboten:
- Evaluation Boards
- Designdaten f¨¹r Leiterplatten
- Simulationsmodelle
- Simulationstools
Um weitere Unterst¨¹tzung zu erhalten, k?nnen Sie auch am MOSFET-Forum der Infineon-Community teilnehmen.
- Introduce Infineon¡¯s automotive MOSFETs for electric two-wheeler applications, its key features, benefits, as well as the technical support available
- Identify the target applications of electric two-wheelers that require automotive MOSFETs.
- Infineon¡¯s Dual Gate MOSFET (IAUTN08S5N012L) is an 80 V product with an RDS of 1.15 milliohms, making it an ideal choice for use in disconnect switches
- Learn more about this product and its use in power distribution applications in this training
- Be familiar with Infineon¡¯s measures to reduce the failure rate and to prove the quality level of a product
- Identify the right product based on given target application requirements
- Get to know today`s fast growing automotive MOSFET market.
- Know more about Infineon`s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications.
- Learn how Infineon defines a true culture of quality.
- Get to know Infineon`s Zero Defect approach and how Infineon goes beyond the requiriments when it comes to automotive MOSFET qulification.
- Get to know Infineon¡¯s Automotive MOSFET data sheet.
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device¡¯s limits and capabilities.
- Know the different 48 V applications for the new drivetrain architectures.
- Get an overview of Infineon`s comprehensive MOSFET portfolio.
- Have an overview of the converters needed in electric vehicles.
- Analyze the 2-quadrant converter topology in buck and boost mode and the half-bridge converter with center tap rectification topology.
- Recognize the different types of setups in the data sheets.
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current.
