Infineon OptiMOS? 6 80 V MOSFET setzt neue Ma?st?be bei energieeffizienter DC-DC-Wandlung in f¨¹hrender KI-Server-Plattform
M¨¹nchen, 7. Mai 2025 ¨C Grafikprozessoren (GPUs) werden immer leistungsf?higer und somit steigen auch die Leistungsanforderungen auf der Board-Ebene. Intermediate Bus Converters (IBCs) ¨C welche beispielsweise eine 48-V-Eingangsspannung in eine niedrigere Busspannung umwandeln ¨C werden immer wichtiger f¨¹r Energieeffizienz, Leistungsdichte und thermische Leistung in KI-Rechenzentren. Die Âé¶¹¹ÙÍø gab bekannt, dass ihre OptiMOS? 6 80 V Leistungs-MOSFETs in einem kompakten 5x6 mm? gro?en DSC-Geh?use (Dual Side Cooling) in die IBC-Stufe einer KI-Serverplattform eines weltweit f¨¹hrenden Prozessorherstellers integriert wurden. Anwendungstests zeigen eine Effizienzsteigerung von rund 0,4 Prozent im Vergleich zu bisher verwendeten L?sungen, was einer Einsparung von ungef?hr 4,3 W pro kW Last entspricht. Bei der ?bertragung auf Serverracks oder ganzen Rechenzentren f¨¹hrt dies zu erheblichen Energieeinsparungen auf Systemebene. In einem hypothetischen Rechenzentrum mit 2.000 Racks w¨¹rde dies beispielsweise in einer Energieeinsparung von ¨¹ber 1,2 MWh pro Stunde resultieren. Dies entspricht der Energie, die zum Aufladen von 25 kleinen Elektrofahrzeugen ben?tigt wird. Die Folgen dieser Entwicklung sind weitreichend: Sie erm?glichen Betreibern von Rechenzentren, Kosten zu sparen und CO 2-Emissionen zu verringern.
Da die Nachfrage nach KI-Computern weiter steigt, wird auch der Bedarf an effizienten Power-Management-L?sungen wachsen. Mit dem OptiMOS 6 80 V bietet Infineon eine Hochleistungsl?sung f¨¹r KI-Server-IBCs und erf¨¹llt die wachsende Nachfrage nach Energieeffizienz. Der OptiMOS 6 80 V MOSFET von Infineon im 5x6 mm? gro?en Dual-Side-Cooling (DSC) Geh?use bietet eine optimierte Schaltleistung in Hard-Switching-Topologien und eine hohe Energieeffizienz durch geringere Leitungsverluste. Dar¨¹ber hinaus erm?glicht das kompakte Geh?use eine beidseitige K¨¹hlung, was zu einem verbesserten W?rmemanagement und einer h?heren Leistungsdichte beitr?gt ¨C beides ist in KI-Server-Umgebungen mit begrenztem Platzangebot von entscheidender Bedeutung. Der OptiMOS 6 80 V ist Teil des breiten Portfolios an Silizium-Leistungs-MOSFETs von Infineon, das f¨¹r die wachsenden Anforderungen an Leistung, Effizienz und Integration in KI-Server-Anwendungen entwickelt wurde. Die Produktpalette nutzt die neueste MOSFET-Technologie und bietet verschiedene anwendungsspezifische Varianten, die f¨¹r unterschiedliche K¨¹hlkonzepte und Systemanforderungen optimiert sind. Die Silizium-Leistungs-MOSFETs von Infineon erf¨¹llen die h?chsten Qualit?ts- und Schutzstandards und erm?glichen so eine gesicherte Produktzuverl?ssigkeit, eine zuverl?ssige Systembetriebszeit und eine bew?hrte Versorgungsstabilit?t.
Als f¨¹hrendes Unternehmen im Bereich Leistungshalbleiter beherrscht Infineon alle drei relevanten Halbleitermaterialien und verf¨¹gt ¨¹ber ein breites Portfolio an Power-L?sungen basierend auf Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).
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Weitere Informationen sind hier erh?ltlich.
Infineon auf der PCIM Europe 2025
Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in N¨¹rnberg statt. Infineon wird seine Produkte und L?sungen f¨¹r die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 pr?sentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten au?erdem mehrere Vortr?ge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen m?chten, k?nnen unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten k?nnen sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen ¨¹ber die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erh?ltlich unter www.infineon.com/pcim.
?ber Infineon
Die Âé¶¹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Besch?ftigte (Ende September 2024) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.
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Der OptiMOS 6 80 V MOSFET von Infineon im 5x6 mm? gro?en Dual-Side-Cooling (DSC) Geh?use bietet eine optimierte Schaltleistung in Hard-Switching-Topologien und eine hohe Energieeffizienz durch geringere Leitungsverluste.OptiMOS_SuperSO8_DSC_WSON-8-2_Combi
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