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M¨¹nchen, 29. April 2025 ¨C Die Â鶹¹ÙÍø bringt die neue CoolSiC? MOSFET 750 V G2-Technologie auf den Markt, die f¨¹r eine verbesserte Systemeffizienz und h?here Leistungsdichte in Automotive- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Die CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie bietet ein differenziertes Portfolio mit typischen R _DS(on)-Werten bis zu 60 m¦¸ bei 25¡ãC und ist damit ideal f¨¹r eine Vielzahl von Anwendungen, darunter On-Board-Charger, DC-DC-Wandler, Zusatzger?te f¨¹r Elektrofahrzeuge (xEVs) sowie industrielle Anwendungen in den Bereichen EV-Ladetechnik, Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Telekommunikation und Schaltnetzteile.

Die extrem niedrigen R _DS(on)-Werte von 4 und 7 m¦¸ erm?glichen eine hervorragende Leistung in statischen Schaltanwendungen, wodurch sich die MOSFETs ideal f¨¹r Anwendungen wie eFuse, Hochspannungs-Batterietrennschalter, Halbleiter-Leistungsschalter und Halbleiterrelais eignen. Der branchenweit niedrigste R _DS(on) von 4 m¦¸ ist in dem top-side cooling Q-DPAK-Geh?use von Infineon untergebracht, das f¨¹r optimale thermische Performance und Zuverl?ssigkeit ausgelegt ist.

Die Technologie zeichnet sich au?erdem durch einen exzellenten R _DS(on) x Q _OSS und einen branchenf¨¹hrenden R _DS(on) x Q _frr aus, was zu reduzierten Schaltverlusten sowohl in Hard- als auch in Soft-Switching-Topologien beitr?gt ¨C insbesondere in Hard-Switching-Anwendungsf?llen mit hervorragender Effizienz. Durch die reduzierte Gate-Ladung erm?glicht die Technologie ein schnelleres Schalten und reduziert Gate-Ansteuerungsverluste, wodurch sie in Hochfrequenzanwendungen noch effizienter ist.

?berdies bieten CoolSiC MOSFETs 750 V G2 eine Kombination aus hoher Schwellenspannung V _GS(th),typ von 4,5 V bei 25¡ãC und einem extrem niedrigen Q _GD/Q _GS-Verh?ltnis, was die Robustheit gegen¨¹ber parasit?rem Einschalten erh?ht. Zudem erm?glicht die Technologie erweiterte Gate-Ansteuerungsfunktionen und unterst¨¹tzt statische Gate-Spannungen von bis zu -7 V und transiente Gate-Spannungen von bis zu
-11 V. Durch diese verbesserte Spannungstoleranz profitieren Entwickler von gr??eren Design-Spielr?umen und einer optimalen Kompatibilit?t mit anderen Bauteilen auf dem Markt.

Der CoolSiC 750 V G2 bietet eine hervorragende Schaltleistung, einfache Handhabung und h?chste Zuverl?ssigkeit unter strikter Einhaltung der AEC Q101-Normen f¨¹r Automobilkomponenten und der JEDEC-Normen f¨¹r Industriekomponenten. Damit erm?glicht das Produkt effizientere, kompaktere und kosteng¨¹nstigere Designs, die den st?ndig wachsenden Marktanforderungen gerecht werden, und unterstreicht das Engagement des Unternehmens f¨¹r Zuverl?ssigkeit und Langlebigkeit in sicherheitskritischen Automobilanwendungen.

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Muster des CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 m¦¸ von Infineon k?nnen ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erh?ltlich unter www.infineon.com/coolsic-750v

Infineon auf der PCIM Europe 2025
Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in N¨¹rnberg statt. Infineon wird seine Produkte und L?sungen f¨¹r die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 pr?sentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten au?erdem mehrere Vortr?ge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen m?chten, k?nnen unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten k?nnen sich per E-Mail an   MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen ¨¹ber die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erh?ltlich unter www.infineon.com/pcim.

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Besch?ftigte (Ende September 2024) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.

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