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M¨¹nchen, 6. Mai 2024 ¨C Die Â鶹¹ÙÍø gilt als Vorreiter bei der Markteinf¨¹hrung von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) sowie bei der Entwicklung der Trench-Technologie f¨¹r SiC-MOSFETs, die exzellente Leistung mit hoher Robustheit kombinieren. Das CoolSiC?-Portfolio reicht heute von 400?V bis 3,3?kV und deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, darunter elektrische Antriebe in Fahrzeugen, Ladeinfrastruktur f¨¹r Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Anlagen, Energiespeichersysteme und Hochleistungs-Traktionswechselrichter. Infineon baut nun auf seiner starken Erfolgsbilanz bei der Kommerzialisierung von SiC-Anwendungen und seiner Rolle als Vorreiter bei ladungskompensierten Silizium-Bauteilen (CoolMOS?) auf und stellt ein neues, Trench-basiertes SiC-Superjunction (TSJ)-Technologiekonzept vor.

?Mit der Einf¨¹hrung des TSJ-Konzepts erweitern wir die technologischen M?glichkeiten von Siliziumkarbid erheblich¡°, sagt Peter Wawer, President der Green Industrial Power Division von Infineon. ?Die Kombination von Trench- und Superjunction-Technologie erm?glicht h?here Wirkungsgrade und kompaktere Designs ¨C ein wichtiger Schritt f¨¹r Anwendungen, die h?chste Leistung und Zuverl?ssigkeit erfordern.¡°

Infineon verfolgt das Ziel, sein CoolSiC-Produktportfolio unter Nutzung der SiC-TSJ-Technologie schrittweise zu erweitern. Die Erweiterung wird eine Vielzahl unterschiedlicher Geh?usekonzepte umfassen, darunter diskrete Bauteile, gemoldete und rahmenbasierte Module sowie ungeh?uste Chips. Das erweiterte Portfolio wird ein breites Spektrum von Automotive- und Industrieanwendungen abdecken.

Die ersten Produkte auf Basis der neuen Technologie werden 1200-V-Bauteile im Infineon ID-PAK-Geh?use f¨¹r Traktionswechselrichter in Fahrzeugen sein. Sie kombinieren die Vorteile der Trench-Technologie mit dem Superjunction-Design und basieren auf mehr als 25 Jahren Erfahrung bei SiC sowie in der Silizium-basierten Superjunction-Technologie (CoolMOS). Die skalierbare Geh?useplattform unterst¨¹tzt Leistungsstufen von bis zu 800 kW und bietet damit ein hohes Ma? an Systemflexibilit?t. Zu den wichtigsten Vorteilen der neuen Technologie z?hlt die gesteigerte Leistungsdichte, die durch eine bis zu 40-prozentige Verbesserung von R _DS(on)*A erreicht wird und auf diese Weise kompaktere Designs innerhalb der gleichen Leistungsklasse erm?glicht. Zudem sorgt das 1200-V-SiC-TSJ-Konzept in ID-PAK f¨¹r eine bis zu 25 Prozent h?here Strombelastbarkeit in Hauptwechselrichtern, ohne die Kurzschlussf?higkeit zu beeintr?chtigen.

Diese Weiterentwicklung verbessert die Gesamtleistung des Systems und f¨¹hrt zu einer h?heren Energieeffizienz, geringeren Anforderungen an die K¨¹hlung und einer gesteigerten Zuverl?ssigkeit in anspruchsvollen Automotive- und Industrieanwendungen. Gleichzeitig reduzieren sich die Parallelisierungsanforderungen, was den Entwicklungsaufwand verringert und die Gesamtkosten des Systems reduziert. Mit diesen Verbesserungen leistet das Infineon ID-PAK-Geh?use, das mit der SiC-TSJ-Technologie ausgestattet ist, einen wichtigen Beitrag zur Entwicklung von effizienteren und kosteng¨¹nstigeren Traktionswechselrichter-Designs f¨¹r Automotive-Anwendungen.

?Als weltweite Nummer eins bei Automotive-Halbleitern gibt Infineon das Innovationstempo vor und tr?gt dazu bei, die Br¨¹cke zwischen technologischem Fortschritt bei Fahrzeugen und nachhaltiger Mobilit?t zu schlagen¡°, sagt Peter Schiefer, President der Automotive Division von Infineon. ?Unsere neue Trench-basierte SiC-Superjunction-Technologie bietet einen zus?tzlichen Mehrwert f¨¹r elektrische Fahrzeugantriebe, denn sie erm?glicht eine h?here Effizienz und ein vereinfachtes Systemdesign.¡°

Als einer der ersten Kunden werden Hyundai Motor Company Entwicklungsteams die Trench-Superjunction-Technologie von Infineon einsetzen, um ihr Angebot f¨¹r Elektrofahrzeuge zu erweitern. Die Zusammenarbeit soll die Entwicklung effizienterer und kompakterer Antriebsstr?nge f¨¹r Elektrofahrzeuge ma?geblich vorantreiben.

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Erste ID-PAK 1200 V-Muster sind ab sofort f¨¹r ausgew?hlte Kunden im Bereich elektrischer Fahrzeugantriebe verf¨¹gbar. Das auf der SiC-TSJ-Technologie basierende ID-PAK-1200-V-Geh?use wird voraussichtlich im Jahr 2027 bereit f¨¹r die Serienproduktion sein.

Infineon auf der PCIM Europe 2025

Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in N¨¹rnberg statt. Infineon wird seine Produkte und L?sungen f¨¹r die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 pr?sentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten au?erdem mehrere Vortr?ge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen m?chten, k?nnen unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten k?nnen sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen ¨¹ber die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erh?ltlich unter www.infineon.com/pcim.

?ber Infineon

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Besch?ftigte (Ende September 2024) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter www.infineon.com/presse

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