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2025年4月14日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、世界初のショットキー ダイオードを内蔵した産業用窒化ガリウム (GaN) パワー トランジスタを発表しました。ショットキーダイオードを内蔵した中電圧CoolGaN? トランジスタG5製品ファミリーは、望ましくないデッドタイム損失を削減して電力システムの性能を向上させ、システム全体の効率をさらに高めます。その上、内蔵ソリューションによりパワー ステージの設計が簡素化され、部品コストが削減されます。

ハードスイッチング アプリケーションにおけるGaNベースのトポロジーでは、GaNデバイスの実効ボディ ダイオード電圧 (V _SD) が高いため、電力損失が大きくなる可能性があります。コントローラーのデッドタイムが長いと状況はさらに悪化し、効率が目標より低下します。これまでの電源設計エンジニアは、多くの場合に外付けショットキー ダイオードをGaNトランジスタと並列接続するか、またはコントローラーを介してデッドタイムを短縮しようとしていました。これらはすべて余分な労力、時間、コストを必要とします。インフィニオンの新しいCoolGaNトランジスタG5は、サーバーや通信IBC、DC-DCコンバーター、USB-Cバッテリー充電器用同期整流器、高出力PSU、モータードライブにおける使用に適したショットキーダイオード内蔵のGaNトランジスタを提供して、これらの課題を大幅に軽減します。

インフィニオンの中電圧GaN製品ライン担当バイス プレジデントであるアントワーヌ ジャラベール (Antoine Jalabert) は「GaN技術が電力設計においてますます普及するなか、インフィニオンはお客様の進化する要求を満たすために継続的に改善や強化を行う必要性を認識しています。ショットキー ダイオードを内蔵したCoolGaNトランジスタG5は、お客様へのイノベーションの加速に対するインフィニオンの取り組みを実証し、ワイドバンドギャップ半導体材料の可能性の限界をさらに押し広げるものです」と述べています。

GaNトランジスタの逆導通電圧 (V _RC) は、ボディ ダイオードが存在しないため、しきい値電圧 (V _TH) とオフ状態ゲートバイアス (V _GS) に依存します。さらに、GaNトランジスタのV _THは一般にシリコン ダイオードのターンオン電圧より高いため、第3象限とも呼ばれる逆導通動作中の不利な状況が生じます。そのため、この新しいCoolGaNトランジスタは、逆導通損失が低く、幅広いハイサイド ゲートドライバーと互換性があり、デッドタイムの条件を緩和することができるため、使用可能なコントローラーの互換性が広がって、設計が簡素化されます。

ショットキー ダイオードを内蔵したGaNトランジスタの最初の製品は、3 x 5 mm PQFNパッケージに収納した100 V 1.5 mΩのトランジスタです。

供给状况について

エンジニアリング サンプルとターゲット データシートはご要望に応じて提供可能です。

インフィニオンのショットキー ダイオード内蔵CoolGaNトランジスタの詳細は こちらをご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウエブサイト /　Follow us: - -