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M¨¹nchen, 14. April 2025 ¨C Die Â鶹¹ÙÍø hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode f¨¹r industrielle Anwendungen vorgestellt. Die Produktfamilie der Mittelspannungs-CoolGaN?-Transistoren G5 mit integrierter Schottky-Diode steigert die Leistung von Stromversorgungssystemen, indem sie unerw¨¹nschte Totzeitverluste (deadtime losses) reduziert und so die Effizienz des Gesamtsystems weiter erh?ht. Dar¨¹ber hinaus vereinfacht die integrierte L?sung das Design der Leistungsstufe und reduziert die St¨¹cklistenkosten.

Bei hart schaltenden Anwendungen k?nnen GaN-basierte Topologien aufgrund der gr??eren effektiven Body-Diode-Spannung (V _SD) von GaN-Bauteilen zu h?heren Leistungsverlusten f¨¹hren. Verst?rkt wird dieser Effekt durch lange Totzeiten des Controllers, was dazu f¨¹hrt, dass der Wirkungsgrad geringer ist als angestrebt. Um dem entgegenzuwirken, wurde f¨¹r die Leistungsentwicklung bisher entweder eine externe Schottky-Diode ben?tigt, die parallel zum GaN-Transistor geschaltet wird, oder es wurde versucht, die Totzeiten ¨¹ber Controller zu reduzieren. Dies erschwert allerdings den Entwicklungsprozess und erh?ht den Zeit- und Kostenaufwand. Mit dem neuen CoolGaN-Transistor 100 V G5 von Infineon l?sst sich das Design deutlich vereinfachen. Mit seiner integrierten Schottky-Diode eignet sich der GaN-Transistor f¨¹r den Einsatz in Server- und Telekom-IBCs, DC-DC-Wandlern, Synchrongleichrichtern f¨¹r USB-C-Ladeger?te und Hochleistungsnetzteile sowie f¨¹r Motorantriebe.

?Durch die zunehmende Verbreitung von Galliumnitrid-Technologie in Stromversorgungsanwendungen sieht Infineon die Notwendigkeit, Produkte kontinuierlich weiterzuentwickeln, um den wachsenden Anforderungen der Kunden gerecht zu werden¡°, sagt Antoine Jalabert, Vice President Medium-Voltage GaN Product Line bei Infineon. ?Der CoolGaN-Transistor 100 V G5 mit integrierter Schottky-Diode steht f¨¹r diesen Ansatz und zeigt, wie sich das Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern weiter aussch?pfen l?sst.¡°

Aufgrund des Fehlens einer Body-Diode h?ngt die Sperrspannung (V _RC) von GaN-Transistoren von der Schwellenspannung (V _TH) und der Gate-Vorspannung im ausgeschalteten Zustand (V _GS) ab. Zudem liegt die Schwellspannung eines GaN-Transistors in der Regel ¨¹ber der Einschaltspannung einer Siliziumdiode, was im sogenannten dritten Quadranten ¨C also beim Sperrleitungsbetrieb ¨C einen Nachteil darstellt. Der neue CoolGaN-Transistor reduziert diese Durchlassverluste in Sperrrichtung, bietet eine h?here Kompatibilit?t mit einer Vielzahl von High-Side-Gate-Treibern und erm?glicht durch geringere Anforderungen an die Totzeit eine einfachere Anbindung an verschiedene Controller ¨C was letztlich das Design vereinfacht.

Der erste von mehreren GaN-Transistoren mit integrierter Schottky-Diode ist der 100-V-1,5-m¦¸-Transistor in einem 3 x 5 mm? PQFN-Geh?use.

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Technische Muster und Datenbl?tter sind auf Anfrage erh?ltlich. Weitere Informationen zu Infineons CoolGaN-Transistoren mit integrierter Schottky-Diode finden Sie hier.

?ber Infineon

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Besch?ftigte (Ende September 2024) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter www.infineon.com/presse

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