英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用骋补狈晶体管产物系列
【 2025 年 4 月 22 日 , 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN? G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产物系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN? G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。
英飞凌科技中压GaN产物线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN? G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”
由于缺乏体二极管，GaN晶体管的反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。此外，GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压，这就导致了反向传导工作（也称为第三象限）期间的劣势。因此，采用这种新型CoolGaN? 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。
首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 mΩ晶体管。
供货情况
工程样品和目标数据表可应要求提供。
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对于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产物和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工，在2024财年（截至9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
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