600 V CoolMOS? 8
综述
该高压超结MOSFET产物系列具备600 V CoolMOS? 7的所有优势
英飞凌最新的600 V CoolMOS? 8是一项全球领先的高压超结MOSFET技术，无论是技术还是性价比，都在全球树立了新标杆。
该系列集成快速体二极管，使其成为众多不同应用的理想选择。它是英飞凌600 V CoolMOS? 7 MOSFET产物系列（包含P7、S7、CFD7、C7、G7及PFD7）的更新换代，是英飞凌已有宽禁带产物组合的有力补充。
600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET的栅极电荷（Qg）相比CFD7减少18%，相比P7减少33%（@10 V）；输出电容（COSS）相比CFD7和P7降低50%（@400 V）；关断损耗（Eoss）相比颁贵顿7和笔7进一步降低12%；反向恢复电荷（蚕rr）相比颁贵顿7减少3%；并拥有市场上最短反向恢复时间（迟rr）。热性能（搁th）相比前代产物也提高了14% - 42%。
这些性能优势使得CoolMOS? 8在LLC和ZVS相移全桥等软开关拓扑中具有最高效率和最佳可靠性。
此外，CoolMOS? 8在PFC、TTF和其他硬开关拓扑中也具有出色的性能。由于导通电阻（RDS(on)）获得优化，降至仅7 m?，CoolMOS? 8可实现更高功率密度。
600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列是一项主要面向工业和消费类应用的“全包式”MOSFET技术。集成快速体二极管，使其适合用于目标应用中的所有主要拓扑。作为具有高性价比的硅基MOSFET技术，这是对英飞凌现有的宽禁带产物组合的有力补充。
该产物系列采用创新的SMD Q-DPAK、TOLL、Thin-TOLL 8x8封装，可简化组装过程，并降低组装成本。
| 特性 | 益处 |
| 最低导通电阻搁DS(on)*A | 效率相比笔7提高0.17%，相比颁7提高0.05% |
| 集成快速体二极管 | 易于使用和加快设计 |
| 换流期间具有良好的稳健性 | 低振铃效应 |
| 先进互连技术 | 热阻（搁th）降低14-42% |
| 从7 m?开始的渐进式产物组合 | 简化产物组合 |
| 顶部冷却封装 | 系统级创新 |
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