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U.S. International Trade Commission stellt Verletzung eines Patents von Infineon durch Innoscience fest

Wirtschaftspresse

Dec 03, 2025
  • Falls diese vorl?ufige Entscheidung best?tigt wird, wird sie dazu f¨¹hren, dass die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt wird
  • Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die den Wert von Infineons branchenf¨¹hrendem Patentportfolio unterstreicht
  • GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Energiesysteme

M¨¹nchen ¨C 03.12.2025 ¨C Die International Trade Commission (ITC) in den USA hat die Verletzung eines Patents der Â鶹¹ÙÍø, das sich auf Galliumnitrid-(GaN)-Technologie bezieht, durch Innoscience festgestellt.[1] Zudem best?tigte die ITC in dieser vorl?ufigen Entscheidung, dass beide von Infineon in dem Verfahren vor der ITC geltend gemachten Patente rechtsbest?ndig sind. [2] In dem anh?ngigen Fall geht es um die unbefugte Nutzung von Infineon-GaN-Technologien durch Innoscience. Die endg¨¹ltige Entscheidung der Kommission wird am 2. April 2026 erwartet und wird, falls die vorl?ufige Entscheidung best?tigt wird, dazu f¨¹hren, dass die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt wird.

?Diese Entscheidung ist ein weiterer Beleg f¨¹r die St?rke des geistigen Eigentums von Infineon und best?tigt unser Engagement, unser Patentportfolio konsequent gegen Verletzungen zu verteidigen und damit einen fairen Wettbewerb im Markt sicherzustellen¡°, sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei Infineon. ?Wir verfolgen weiterhin das Ziel, Innovationen zu f?rdern und die Halbleitertechnologie weiterzuentwickeln, um die dr?ngendsten Herausforderungen unserer Zeit zu adressieren ¨C von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation.¡°

Die Entscheidung ist ein weiterer Schritt, der den Wert des Beitrags von Infineon zur GaN-Technologie unterstreicht. In einem parallelen Rechtsstreit in Deutschland hat das Deutsche Patent- und Markenamt vor Kurzem die G¨¹ltigkeit eines Patents von Infineon best?tigt und in leicht ge?nderter Form aufrechterhalten. Infineon macht die Verletzung dieses Patents vor dem Landgericht M¨¹nchen I geltend.[3] Bereits im August 2025 stellte das Gericht die Verletzung eines weiteren Infineon-Patents durch Innoscience fest.[4]

Infineon ist ein f¨¹hrender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund 450 GaN-Patentfamilien umfasst. GaN spielt eine Schl¨¹sselrolle bei der Realisierung leistungsstarker und energieeffizienter Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch h?here Leistungsdichte, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste erm?glichen GaN-Halbleiter kompaktere Designs, verringern Energieverbrauch und W?rmeentwicklung. Als f¨¹hrendes Unternehmen im Bereich Leistungssysteme beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

[1] US 9,899,481
[2] US 9,899,481 and US 9,070,755
[3] DE102017100947
[4] DE102014113465

?ber Infineon

Die Â鶹¹ÙÍø ist ein weltweit f¨¹hrender Anbieter von Halbleiterl?sungen f¨¹r Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und L?sungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Besch?ftigte (Ende September 2025) und erzielte im Gesch?ftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol ?IFX¡° und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol ?IFNNY¡° notiert.

Pressefotos

Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon has become the first semiconductor manufacturer to successfully develop 300-millimeter GaN power wafer technology within its existing high-volume manufacturing infrastructure.

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Andre Tauber

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